|
☰ Все разделы → Комплектующие 5 Память для компьютера - tRP 5 в городе Ростов-на-Дону➤ Есть скидки по промокоду sidex250: популярные 5 Память для компьютера — купить в городе Ростов-на-Дону и других городах России по скидочной цене, без предоплаты, в наличии 883 шт. Категория: Комплектующие. Доставка в Ростов-на-Дону, Москва и другие города России. Перед покупкой воспользуйтесь подбором по параметрам, читайте отзывы, смотрите характеристики. В наличии 883 шт:
AMD R322G805U2S-UGO - DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240 pin, 1x2 Гб, 1.8 В, CL 5, OEM.
Kingston KVR667D2N5/1G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Transcend TS512MFB72V6U-T - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Hynix DDR2 667 SO-DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Kingston KVR667D2S4F5K2/4G - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Samsung DDR2 667 FB-DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Kingmax DDR2 800 DIMM 1 Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Kingston KVR800D2N5K2/2G - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Kingston KVR667D2N5K2/2G - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Kingmax DDR2 800 DIMM 1 Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Оперативная память Samsung DDR2 667 DIMM 1Gb - DDR2 667 (PC2 5300) DIMM 240 pin, 1x1 ГБ, 1.8 В, CL 5
Оперативная память Kingston KVR667D2D8F5K2/4G - DDR2 667 (PC2 5300) FB-DIMM 240 pin, 2x2 ГБ, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 5
Оперативная память Hynix DDR2 667 DIMM 2Gb - DDR2 667 (PC2 5300) DIMM 240 pin, 1x2 ГБ, 1.8 В, CL 5
Оперативная память Kingston KVR800D2D8F5K2/2G - DDR2 800 (PC2 6400) FB-DIMM 240 pin, 2x1 ГБ, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 5
Samsung DDR2 667 Registered ECC DIMM 4Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22G800HC501 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Team Group TEDD4096M667HC5DC - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Team Group TEDD4096M667HC5 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Team Group TEDD8192M667HC5DC - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED24G800HC5DC01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22G800HC5DC01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22GM800HC501 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED21GM800HC501 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED24GM667C5DC-S01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED24G667C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED24G667C5DC-S01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22GM667C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22G667C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22GM667C5DC-S01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22G667C5DC-S01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED21GM667C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED21G667C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22G800C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22GM800C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED24G800C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED24GM800C5DC-S01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED24G800C5DC-S01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22GM800C5DC-S01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22G800C5DC-S01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED21GM800C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED21G800C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED24GM667C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Corsair TWIN2X4096-6400C5C - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Hynix DDR2 667 DIMM 4Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Hynix DDR2 667 Registered ECC DIMM 8Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 5
Mushkin 991572 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TSDD512M800C5-E - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Silicon Power SP002GBLRU800S21 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
G.SKILL F2-5300CL5D-4GBSK - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
G.SKILL F2-5300CL5S-2GBSK - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Silicon Power SP004GBFRE800U01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Hynix DDR2 667 SO-DIMM 4Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Samsung Low Profile DDR2 667 Registered ECC DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 5
Отзывы о Samsung Low Profile DDR2 667 Registered ECC DIMM 2Gb
Mushkin 971559A - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
GoodRAM GR800S264L5/4G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Silicon Power SP001GBLRU800S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Hynix DDR2 667 Registered ECC DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 5
Silicon Power SP001GBFRE800S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Silicon Power SP002GBFRE800S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Silicon Power SP004GBFRE800S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Silicon Power SP004GBFRE667S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Silicon Power SP001GBFRE667S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Silicon Power SP002GBFRE667S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Team Group TXDD4096M1066HC5DC-D - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1066 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Team Group TXDD2048M1066HC5DC-D - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1066 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Mushkin 996655 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Mushkin 991655 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
G.SKILL F2-5300CL5D-4GBSA - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Hynix DDR2 667 Registered ECC DIMM 4Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 5
Kingston KHX6400D2B1K2/2G - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Kingston KHX6400D2B1K2/4G - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Kingston KHX6400D2B1/1G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Kingston KHX6400D2B1/2G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Kingston KVR667D2S8F5/1GI - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Apacer DDR2 667 Registered ECC DIMM 2Gb CL5 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 5
G.SKILL F2-6400CL5S-1GBNT - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
G.SKILL F2-6400CL5S-1GBNY - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Kingston KVR667D2Q8F5/4G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Kingston KHX8500D2K2/4G - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1066 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Kingston KVR667D2Q8F5K2/8G - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Corsair CM2X2048-6400C5 G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Kingston KHX8500D2/2G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1066 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Kingmax DDR2 800 SO-DIMM 1Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Kingmax DDR2 800 SO-DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Kingston KHX8500D2K4/4G - 4 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1066 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Kingston KVR800D2D8F5/1G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Samsung DDR2 667 DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Corsair TWIN2X4096-6400C5 G - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Kingston KVR667D2D4F5/4GI - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Kingston KVR667D2D8F5/2GI - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Kingston KHX6400D2/2G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Доставка товаров из категории "память для компьютера - trp 5" - в городе в Ростов-на-Дону от 2х дней. Контакты - Ростов-на-Дону » Изменить Город |